关键指标
13.35
热度指数-
影响级别Medium
-
影响范围Global
-
最后更新2026-03-18
关键影响
积极影响 (11)
高带宽存储器（HBM）
高级微器件（AMD）
DDR5内存
DRAM存储扇区
三星电子
服务器内存模块/DIMM供应链
消极影响 (4)
SK海力士
台湾半导体制造有限公司
OSAT/先进包装公司（ASE Technology，Amkor）
英伟达公司。
总影响数: 15 |
积极: 11 |
消极: 4
事件概述
此次合作聚焦于人工智能基础设施的开发，涵盖先进存储芯片和先进制造工艺。该伙伴关系旨在提升 AI 加速器和处理器的性能与效率，显示出双方正以战略性举措迈向 AI 硬件市场的领导地位。
采集记录
Samsung 与 AMD 扩大战略合作，聚焦 AI 基础设施内存芯片
2026-03-18 16:07
Samsung Electronics 与 AMD 已签署谅解备忘录，进一步扩大双方在 AI 基础设施内存芯片领域的战略合作。Samsung 将为 AMD 的 Instinct MI455X AI 加速器供应新一代 HBM4 内存，并为第六代 EPYC 处理器提供优化版 DDR5 内存。此外，双方还将探讨由 Samsung 为 AMD 提供晶圆代工服务的可能性。
AMD发布次世代AI芯片MI455，采用先进制造与封装技术
2026-01-06 11:43
在CES上，AMD首席执行官苏姿丰宣布，下一代AI芯片MI455 GPU将采用2纳米和3纳米工艺制造，并配备先进的封装技术。MI455 GPU将搭载HBM4内存，并与EPYC CPU集成。全新的Helios机架将容纳72个GPU，通过连接多个机架，可构建大型AI集群。此外，AMD正在开发采用2纳米工艺的MI500系列芯片，预计于2027年发布。目标是在四年内将AI性能提升1000倍。
总记录数: 2